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B727


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE >1000
Ptot 50W
fT -
TJ -
der B727 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 6A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB727
Erweiterte Informationen zu B727
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B727 Datenblatt (jpg):-
B727 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD768
Ähnliche Typen:BD652, [mehr]
BD652,BDT20,BDW64D,BDW74D
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B727


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE >1000
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IC -6A
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2SD768


SI NPN darlington Transistor
Komplementär Typ zu B727
GFX
UCE/UCB 120/120V
IC DC/AC 6/10A
hFE 1-20k
Ptot 40W
TON/TOFF 1/3µS
TJ -
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
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